收集一：
一.填空
1.集成电路的分类，按材料，工艺
2.集成电阻的计算，以及其制造工艺
，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型
电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素
……(还有几道不记得了)
二.填表
全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质……
三.填图
CMOS工艺流程填图画图
四.问答
单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何解决这一矛盾?
2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程
3.谈谈对Layout设计的看法
五.翻版图或者画版图，选一
第二卷
1.什么是格雷码?
ist采样定例
3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4.运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的'优劣。
收集二：1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下，Kn=3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk，d，q，q-)